德爾森集團熱烈祝賀：

2018首屆世界傳感器大會在河南鄭州隆重召開！??！ 

歡迎大家到會洽談交流

地點：鄭州國際會展中心

時間：2018年11月12日- 14日

 借此盛大會議的召開之際，德爾森傾情推出技術(shù)交流專欄《德爾森技術(shù)匯》。

愿伙伴們共享技術(shù) ，探討工藝，共同為我國傳感器事業(yè)貢獻出一份力量！

大家好！我是德爾森集團的工程師余工，今天和大家初次見面

歡迎大家來到《德爾森技術(shù)匯》，很樂意和大家進行技術(shù)交流與分享！

 現(xiàn)如今單晶硅傳感器芯片已成為PA級壓力/差壓產(chǎn)品的熱門選擇之一，

但如何正確選擇單晶硅芯片將成為決定產(chǎn)品性能的關(guān)鍵因素。

單晶硅壓力/差壓芯片

1、芯片自身材質(zhì)

（1）晶圓尺寸 

       對于高穩(wěn)定性產(chǎn)品務必選擇高純度單晶硅材料，晶圓分布一致性要好，確保芯片的長期穩(wěn)定性與可靠性。

不要一昧追求晶圓尺寸（如8寸、12寸），為節(jié)約成本而降低品質(zhì) 。

德爾森晶圓實物圖

（2）全單晶硅材質(zhì) 

眾所周知，硅比較容易實現(xiàn)與玻璃的鍵合，但硅的彈性模量是玻璃的四倍以上，且溫度膨脹系數(shù)也截然不同。因此高穩(wěn)定性傳感器芯片，

特別是對靜壓影響有要求的差壓傳感器只能選擇硅硅鍵合的全單晶硅材質(zhì)。 

2、惠斯通電橋橋阻大小與布局 

（1）橋阻大小

 惠斯通電橋橋阻大小會影響傳感器的靈敏度與溫度特性，大橋阻有利于靈敏度增加，噪聲降低。 

（2）引線布局

為實現(xiàn)芯片引腳綁線，必須對單晶硅芯片表面進行金屬化處理，將橋阻的引腳引出。

由于引腳的金屬材質(zhì)與硅材質(zhì)的特性不同 ，該金屬化布局也會影響到傳感器的溫度與靜壓特性。

德爾森MD系列芯片采用全對稱鏡像式布局，金屬化部分在溫度與壓力變化時，變化均勻、對稱抵消，使其影響降到非常小。

 3、芯片內(nèi)部刻蝕結(jié)構(gòu)

單晶硅芯片，在背向過壓時，很容易破碎，主要薄弱環(huán)節(jié)在于鍵合面與內(nèi)部刻蝕結(jié)構(gòu)。 

 德爾森MD系列芯片借此國際僅有的專利，特殊的弧形刻蝕結(jié)構(gòu)，實現(xiàn)傳感器正向與背向雙面超高過壓：

  1kPa 芯片背向過壓達 1MPa （1000倍）

 6kPa 芯片背向過壓達 2MPa （333倍）

 4、芯片的厚度 

眾所周知，MEMS單晶硅芯片的封裝將對傳感器性能產(chǎn)生較大影響，

因此如何降低不銹鋼管座及本體對芯片的應力成為核心問題。

如上圖所示，單晶硅芯片越厚，封裝應力對其感應層影響越小，產(chǎn)品精度與長期穩(wěn)定性越好。 

德爾森采用業(yè)內(nèi)較厚單晶硅芯片，不惜成本，提高品質(zhì)。

最后，再次感謝大家的耐心傾聽，歡迎大家指導與交流。

“厚硅還是薄硅”，相信大家已有自己的選擇。       

在此中美貿(mào)易摩擦、西方技術(shù)封鎖、國際友商限制供貨之際，

讓咱們業(yè)界伙伴們齊心協(xié)力，共享技術(shù)，推動我國傳感器事業(yè)蓬勃發(fā)展?。?！