德?tīng)柹瘓F(tuán)熱烈祝賀：

2018首屆世界傳感器大會(huì)在河南鄭州隆重召開(kāi)！?。?nbsp;

歡迎大家到會(huì)洽談交流

地點(diǎn)：鄭州國(guó)際會(huì)展中心

時(shí)間：2018年11月12日- 14日

 借此盛大會(huì)議的召開(kāi)之際，德?tīng)柹瓋A情推出技術(shù)交流專(zhuān)欄《德?tīng)柹夹g(shù)匯》。

愿伙伴們共享技術(shù) ，探討工藝，共同為我國(guó)傳感器事業(yè)貢獻(xiàn)出一份力量！

大家好！我是德?tīng)柹瘓F(tuán)的工程師余工，今天和大家初次見(jiàn)面

歡迎大家來(lái)到《德?tīng)柹夹g(shù)匯》，很樂(lè)意和大家進(jìn)行技術(shù)交流與分享！

 現(xiàn)如今單晶硅傳感器芯片已成為PA級(jí)壓力/差壓產(chǎn)品的熱門(mén)選擇之一，

但如何正確選擇單晶硅芯片將成為決定產(chǎn)品性能的關(guān)鍵因素。

單晶硅壓力/差壓芯片

1、芯片自身材質(zhì)

（1）晶圓尺寸 

       對(duì)于高穩(wěn)定性產(chǎn)品務(wù)必選擇高純度單晶硅材料，晶圓分布一致性要好，確保芯片的長(zhǎng)期穩(wěn)定性與可靠性。

不要一昧追求晶圓尺寸（如8寸、12寸），為節(jié)約成本而降低品質(zhì) 。

德?tīng)柹A實(shí)物圖

（2）全單晶硅材質(zhì) 

眾所周知，硅比較容易實(shí)現(xiàn)與玻璃的鍵合，但硅的彈性模量是玻璃的四倍以上，且溫度膨脹系數(shù)也截然不同。因此高穩(wěn)定性傳感器芯片，

特別是對(duì)靜壓影響有要求的差壓傳感器只能選擇硅硅鍵合的全單晶硅材質(zhì)。 

2、惠斯通電橋橋阻大小與布局 

（1）橋阻大小

 惠斯通電橋橋阻大小會(huì)影響傳感器的靈敏度與溫度特性，大橋阻有利于靈敏度增加，噪聲降低。 

（2）引線(xiàn)布局

為實(shí)現(xiàn)芯片引腳綁線(xiàn)，必須對(duì)單晶硅芯片表面進(jìn)行金屬化處理，將橋阻的引腳引出。

由于引腳的金屬材質(zhì)與硅材質(zhì)的特性不同 ，該金屬化布局也會(huì)影響到傳感器的溫度與靜壓特性。

德?tīng)柹璏D系列芯片采用全對(duì)稱(chēng)鏡像式布局，金屬化部分在溫度與壓力變化時(shí)，變化均勻、對(duì)稱(chēng)抵消，使其影響降到非常小。

 3、芯片內(nèi)部刻蝕結(jié)構(gòu)

單晶硅芯片，在背向過(guò)壓時(shí)，很容易破碎，主要薄弱環(huán)節(jié)在于鍵合面與內(nèi)部刻蝕結(jié)構(gòu)。 

 德?tīng)柹璏D系列芯片借此國(guó)際僅有的專(zhuān)利，特殊的弧形刻蝕結(jié)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)傳感器正向與背向雙面超高過(guò)壓：

  1kPa 芯片背向過(guò)壓達(dá) 1MPa （1000倍）

 6kPa 芯片背向過(guò)壓達(dá) 2MPa （333倍）

 4、芯片的厚度 

眾所周知，MEMS單晶硅芯片的封裝將對(duì)傳感器性能產(chǎn)生較大影響，

因此如何降低不銹鋼管座及本體對(duì)芯片的應(yīng)力成為核心問(wèn)題。

如上圖所示，單晶硅芯片越厚，封裝應(yīng)力對(duì)其感應(yīng)層影響越小，產(chǎn)品精度與長(zhǎng)期穩(wěn)定性越好。 

德?tīng)柹捎脴I(yè)內(nèi)較厚單晶硅芯片，不惜成本，提高品質(zhì)。

最后，再次感謝大家的耐心傾聽(tīng)，歡迎大家指導(dǎo)與交流。

“厚硅還是薄硅”，相信大家已有自己的選擇。       

在此中美貿(mào)易摩擦、西方技術(shù)封鎖、國(guó)際友商限制供貨之際，

讓咱們業(yè)界伙伴們齊心協(xié)力，共享技術(shù)，推動(dòng)我國(guó)傳感器事業(yè)蓬勃發(fā)展?。?！