HMD 高溫斗士

德?tīng)柹?HMD 系列超寬溫區(qū)單晶硅壓力/差壓傳感器芯片 

祝您圣誕快樂(lè)！

      大家好！我是德?tīng)柹挠喙ぁ?nbsp;

今天正值平安夜，這里謹(jǐn)代表德?tīng)柹瘓F(tuán)全體成員，祝福新老朋友圣誕快樂(lè)?。?！
       冬至剛過(guò)，圣誕又至。借此機(jī)會(huì)，

也為大家分享一下 2019 德?tīng)柹瓕⒘慨a(chǎn)的一款新型單晶硅壓力芯片( HMD 高溫斗士)，

愿為您在這寒冬里送上一份溫暖！ 

HMD 高溫型單晶硅壓力 / 差壓傳感器芯片

HMD 系列超寬溫區(qū)單晶硅芯片 (-196℃~350℃) 

半導(dǎo)體硅材料在 150℃ 之上時(shí)，其漏電流會(huì)呈指數(shù)級(jí)變大，從而導(dǎo)致其電特性無(wú)法實(shí)現(xiàn)規(guī)律變化，

也正是因此，超過(guò) 150℃以上的硅材質(zhì) MEMS 傳感器一直為行業(yè)中的難點(diǎn)。

MEMS 硅芯片漏電流隨溫度變化曲線

       德?tīng)柹静捎脤?SOI（絕緣體硅薄膜）技術(shù)與 MEMS 技術(shù)巧妙結(jié)合的方式，

有效的解決了高溫下硅傳感器的漏電流問(wèn)題，

傳承上一代 MD 系列芯片的 3D 刻蝕結(jié)構(gòu)，依然延續(xù)了其超高過(guò)壓性能與高穩(wěn)定性。 

封裝技術(shù)

      傳統(tǒng)的傳感器芯片封裝技術(shù)已無(wú)法實(shí)現(xiàn)如此高的工作溫度，故此德?tīng)柹ㄟ^(guò)與德國(guó)國(guó)家微系統(tǒng)傳感器研究院的合作，

開(kāi)發(fā)了專門(mén)適用于高溫 (150℃~350℃) 型芯片的硬封裝技術(shù)，確保芯片封裝在長(zhǎng)期高溫下的可靠性。

HMD 高溫型單晶硅壓力傳感器成品 

傳統(tǒng)的高溫型壓力傳感器大都采用增加散熱結(jié)構(gòu)或毛細(xì)管遠(yuǎn)傳的方式，

來(lái)降低芯片處的溫度，但這樣會(huì)帶來(lái)降低響應(yīng)、油量變大、提高成本等缺點(diǎn)。    
德?tīng)柹邷匦蛪毫鞲衅饔捎谛酒旧砜赡透邷匾约疤厥夥庋b的技術(shù)，

可舍去傳統(tǒng)的降溫結(jié)構(gòu)，降低成本，提高性能。

德?tīng)柹瓎尉Ч?/strong>壓力傳感器其他特點(diǎn)

■ 0~10kPa~40MPa 測(cè)量范圍
■ 超高過(guò)壓性能，更安全 (如 100kPa 芯片過(guò)壓達(dá) 10MPa ) 

■ 不銹鋼傳感器，全焊接結(jié)構(gòu)，隔爆防護(hù) 

■ 無(wú)密封圈，高可靠性
■ 單晶硅級(jí)精度，更加適應(yīng)工業(yè)應(yīng)用
■ 自帶呼吸孔，背壓腔不通儀表內(nèi)部真實(shí)滿足 PA 需求 

求實(shí)創(chuàng)新                                     不斷從核心芯片入手

追求精湛                                     注重智造、打造精品

合作共贏                              從用戶出發(fā)、為客戶著想