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公司動(dòng)態(tài)

印度展會(huì)

2016/10/13 點(diǎn)擊數(shù):1953

印度國(guó)際自動(dòng)化展會(huì)(International Automation Exhibition)自2002年舉辦以來(lái),已成功舉辦十屆,是印度該行業(yè)最重要,也是規(guī)模較大的國(guó)際自動(dòng)化展覽會(huì),被展商稱為印度最為專業(yè)的自動(dòng)化展會(huì)。


 此次印度展會(huì)于北京時(shí)間2016年8月22日至25日在印度孟買(mǎi)展覽中心舉行,有來(lái)自世界各國(guó)的諸多名企參展。德?tīng)柹疽彩苎麉⒓哟舜握箷?huì)。

       此次參展范圍主要在于各行業(yè)自動(dòng)化,儀表控制,機(jī)器人技術(shù),以及各類(lèi)傳感器等。德?tīng)柹緦⒆约旱漠a(chǎn)品展示給大家,向世界證明了德?tīng)柹放浦荚谧鋈騻鞲衅餍酒圃焐痰睦砟?。德?tīng)柹緦D系列作為本次參展主打產(chǎn)品,收到客戶一致好評(píng)。同行業(yè)的公司代表也紛紛前來(lái)參觀,得到一致的認(rèn)可。

       德?tīng)柹璏D系列單晶硅芯片具有諸多特性:

       1、高純度單晶硅材質(zhì) 

       德?tīng)柹璏D系列單晶硅芯片采用超高純度單晶硅材質(zhì),其材質(zhì)特性遠(yuǎn)遠(yuǎn)優(yōu)于市場(chǎng)上現(xiàn)有的復(fù)合硅、擴(kuò)散硅芯片。借此德?tīng)柹泊蚱屏舜朔N材料僅被全球幾家傳感器公司壟斷的格局。

       2、雙梁懸浮式技術(shù)

       德?tīng)柹璏D系列單晶硅芯片采用雙梁結(jié)構(gòu),雙層惠斯通電橋布局,雙橋路相互補(bǔ)償,提高信噪比,達(dá)到好的溫度特性。中間層弧角式懸浮,有效分解應(yīng)力,實(shí)現(xiàn)超高過(guò)壓。

       3、1kPa ... 40MPa標(biāo)準(zhǔn)量程

       1kPa, 4kPa, 40kPa, 400kPa, 4MPa, 40MPa  六個(gè)標(biāo)準(zhǔn)量程,涵蓋過(guò)程控制全壓力范圍。全球最小標(biāo)準(zhǔn)量程1KPa,確保微差壓段優(yōu)性能。

       4、全球獨(dú)創(chuàng)   橋路電阻:10kΩ

       有效控制溫度影響,確保輸出信號(hào)超高信噪比,功耗最低。

       5、全球的過(guò)壓性能

     MD系列芯片具有超強(qiáng)過(guò)壓能力:1kPa芯片過(guò)壓達(dá)1.5MPa(1500倍過(guò)壓);

4kPa芯片過(guò)壓達(dá)2.5MPa(625倍過(guò)壓)絕大部分微差壓應(yīng)用可實(shí)現(xiàn)無(wú)中心膜片結(jié)構(gòu),提高整體準(zhǔn)確度與靜壓特性,同時(shí)簡(jiǎn)化傳感器結(jié)構(gòu)、降低成本,讓利用戶。

      6、芯片單晶硅層厚度達(dá)2.5mm

      在硅芯片技術(shù)中,硅片的尺寸與有效硅層的厚度將對(duì)芯片的成本和性能起到很關(guān)鍵的作用。而且統(tǒng)一的傳感器芯片材質(zhì),將更好的實(shí)現(xiàn)溫度特性,讓芯片在溫度變化時(shí),應(yīng)力特性一致。德?tīng)柹璏D系列芯片,采用全單晶硅材質(zhì),尺寸與厚度都為行業(yè)內(nèi)較大,不惜成本,注重品質(zhì)。

      7、全對(duì)稱布局

      芯片惠斯通電電橋與引線布局,采用梅花鏡像對(duì)稱布局。全對(duì)稱布局、均衡受力,減小噪聲來(lái)源,同時(shí)也方便一次封裝,提高穩(wěn)定性與一致性。

      來(lái)自各地的知名企業(yè)匯聚在一起,分享科技,感知未來(lái)。進(jìn)行很好的產(chǎn)品交流,看到科技發(fā)展的腳“印”。德?tīng)柹緦?huì)用獨(dú)創(chuàng)的技術(shù)。

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